据最新消息爆料，小米汹涌OS 2.0体系现已敞开了职工内部测验，间隔正式对外发布渐渐的接近了。

  据悉，汹涌OS 2.0将会带来多项优化，包含底层架构的完善，是真实的汹涌OS完整体。该体系还会主攻AI，卢伟冰此前就曾泄漏，到现在发布的声称AI手机的都是AI Feature手机，也便是用AI的技能做了一些AI功用。

  在卢伟冰看来，真实的AI手机是搭载根据AI大模型重构的操作体系，小米汹涌OS2.0就承当这一任务。

  从时刻上来看，汹涌OS 2.0很大约率会在下个月跟着小米15系列发布，首发预装。

  小米15系列将全球首发骁龙8 Gen4，其间小米15仍然是小尺度直边直屏方案，搭载1.5K直屏，具有金属中框、玻璃机身，后摄选用方形高质感DECO，支撑超声波指纹解锁，装备5000万像素大底主摄、500万像素超广角、5000万像素3.X直立长焦微距的三摄组合。

  小米15 Pro主打全面水桶旗舰，选用2K微曲屏方案，除了惯例机身外还有钛金属中框的版别，还支撑超声波指纹解锁，还会有卫星通信技能加持，印象方面则是5000万像素超大底主摄、5000万像素超广角、5000万像素潜望长焦。

  此前，AMD现已发布了代号Strix Point的锐龙AI 300系列，主打高端轻浮本，接下来AMD还有三款相同Zen5架构的移动版APU，其间最高端的是Fire Range，移植于桌面版锐龙9000系列，最多16个Zen5 CPU中心、2个RDNA2 GPU中心，估计热规划功耗55-75W，用于终极游戏本。

  相对低端的是代号Krackan(也叫作Kraken Point)的产品，AMD最新承认它将在2025年头发布，比较于Strix Point愈加廉价，面向更大规划的干流商场。

  经测验，天玑9400跑3D Mark项目，其GPU功能高于高通骁龙8 Gen3移动渠道大约30%，在平等跑分作用下功耗大约低40%。

  别的，联发科还将推出一项新的移动端光追技能，其归纳体现能比美PC端尖端光追技能OMM，能够让光追画质超一个层次。

  值得留意的是，天玑9400根据台积电第二代3nm制程打造，这是安卓阵营第一颗3nm手机芯片，将由vivo首先搭载，相关终端会在10月上市出售。

  本年4月，三星真实开端量产第9代V-NAND闪存，第一批供给的是容量为1Tb的TLC闪存。现在，三星宣告发动新款第9代V-NAND闪存的量产作业，归于其首款1Tb的QLC（四层单元）闪存，进一步稳固了三星在高容量、高功能NAND闪存商场中的位置。

  第9代V-NAND QLC闪存归纳运用多项立异作用，完成了多项技能打破，包含：

  通道孔蚀刻技能：能够根据双仓库架构完成当时业界最高的单元层数。三星运用在第9代V-NAND TLC中堆集的技能经历，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代V-NAND QLC闪存提高约86%。

  预设模具技能：能够调整操控存储单元的字线（WL）距离，保证同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致，到达最佳作用。V-NAND层数越多，存储单元特性越重要。选用预设模具技能使得数据保存功能比较之前的版别提高约20%，增强了产品的可靠性。

  猜测程序技能：能够猜测并操控存储单元的状况改变，尽可能削减不必要的操作。这项技能进步让三星第9代V-NAND QLC的写入功能翻倍，数据输入/输出速度提高60%。

  低功耗规划技能：使得数据读取功耗约分别下降了约30%和50%。这项技能降低了驱动NAND存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（BL），然后尽可能削减功耗。

  三星方案扩展第9代V-NAND QLC闪存的使用场景规模，从品牌消费类产品开端，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑与服务器SSD，为包含云服务供给商在内的客户供给服务。

  日前，iPhone 16全系国行版现已在国内入网，认证信息数据显现最高支撑45W快充（15V 3A），应该是PD协议，算是总算追上了安卓千元机的快充速度。尽管说比照干流安卓旗舰还有不小距离，但现已有期望完成30分钟充80%乃至更快的作用。

  需求留意的是，45W快充头仍然需求用户自己购买。现在苹果官网在售的20W USB-C充电头价格为149元，以此来估测，支撑45W的充电头定价会超越200元。

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